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Tipo encapsulado: DIP
0 °C a 100 °C
5A de corriente base
o alimentarla con un adaptador de corriente AC a DC para empezar
400 perforaciones
Transistor MOSFET IRF540N multimetro Tipo encapsulado: DIPDESCRIPCIN El IRF540N es un Mosfet de potencia Hexfet de canal nico N de 100V en el encapsuladoTO 220AB. Este Mosfet tiene una resistencia extremadamente baja por rea de silicio, clasificacin dv dt dinmica, conmutacin rpida y resistente. Los Mosfet de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones. Polaridad: Canal N Intensidad drenador continua Id: 33 A Tensin
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